受招標(biāo)人委托對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2023-07-28在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。 1、招標(biāo)條件 項(xiàng)目概況:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項(xiàng)目 資金到位或資金來(lái)源落實(shí)情況:已落實(shí) 項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說(shuō)明:已具備 2、招標(biāo)內(nèi)容 招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào):0623-2340J1110092/01 招標(biāo)項(xiàng)目名稱:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項(xiàng)目 項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國(guó)江蘇省 招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號(hào) | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡(jiǎn)要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 包1 | LPCVD設(shè)備 | 14管 | 用于IGBT芯片制造200mm硅片LPCVD工藝。其他詳見(jiàn)技術(shù)規(guī)格書 | ★包中設(shè)備不得拆分投標(biāo)。 |
| 包2 | 高溫氧化爐 | 8管 | 高溫氧化爐管采用SIMF模式（E84通訊功能），用于IGBT芯片制造200mm硅高溫氧化工藝。其他詳見(jiàn)技術(shù)規(guī)格書 | ★包中設(shè)備不得拆分投標(biāo)。 |
3、投標(biāo)人資格要求 投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績(jī):包1：LPCVD設(shè)備: 1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單簽訂時(shí)間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表等其他有效證明材料的落款時(shí)間為準(zhǔn)）LPCVD設(shè)備業(yè)績(jī)合計(jì)不低于50管。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 包2：高溫氧化爐: 1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單簽訂時(shí)間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表等其他有效證明材料的落款時(shí)間為準(zhǔn)）8寸及以上晶圓臥式爐管設(shè)備業(yè)績(jī)合計(jì)不低于20管。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受 未領(lǐng)購(gòu)招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以 4、
備注：您的權(quán)限不能瀏覽詳細(xì)內(nèi)容,非正式會(huì)員請(qǐng)聯(lián)系辦理會(huì)員入網(wǎng)注冊(cè)事宜，并繳費(fèi)成為正式會(huì)員后登錄網(wǎng)站會(huì)員區(qū)可查看招標(biāo)公告、招名方式或下載報(bào)名表格等詳細(xì)內(nèi)容！為保證您能夠順利投標(biāo)，具體要求及購(gòu)買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn)。
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